目的：進行晶圓蝕刻和清潔工藝
適用：6、8、12寸晶圓
UPH：38PCS（雙腔，加工時間180秒）
腔體類型：單晶片伯努利旋轉加工腔體
Load/Unload：open cassette or Foup
CHUCK：伯努利和邊緣夾持旋轉卡盤
設備控制：觸控式IPC+PLC
加工能力：
均勻性＜5%
100級室內環(huán)境
晶片上沒有水印痕跡
Wafer背邊DI沖洗功能
Thin Wafer 破損率 ＜1000PPM
服務熱線
0512-36869849服務熱線
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產品時間：2023-07-01 09:33:57
簡要描述：
目的：進行晶圓蝕刻和清潔工藝適用：6、8、12寸晶圓UPH：38PCS（雙腔，加工時間180秒）腔體類型：單晶片伯努利旋轉加工腔體Load/Unload：open cassette or FoupCHUCK：伯努利和邊緣夾持旋轉卡盤設備控制：觸控式IPC+PLC加工能力：均勻性＜5%100級室內環(huán)境晶片上沒有水印痕跡Wafer背邊DI沖洗功能Thin Wafer 破損率 ＜1000PPM
目的：進行晶圓蝕刻和清潔工藝
適用：6、8、12寸晶圓
UPH：38PCS（雙腔，加工時間180秒）
腔體類型：單晶片伯努利旋轉加工腔體
Load/Unload：open cassette or Foup
CHUCK：伯努利和邊緣夾持旋轉卡盤
設備控制：觸控式IPC+PLC
加工能力：
均勻性＜5%
100級室內環(huán)境
晶片上沒有水印痕跡
Wafer背邊DI沖洗功能
Thin Wafer 破損率 ＜1000PPM
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